氮化铝陶瓷

氮化铝陶瓷是先进陶瓷材料中的一种，因具有优良的导热性能和电绝缘性能而被广泛应用于电子工业。

氮化铝晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。作为一种耐高温材料，其单晶体导热率几乎是氧化铝的5倍，并且具有良好的耐热冲击性能，可以在1350℃的惰性气氛中使用。

氮化铝耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定。因其表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜， 利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化铍瓷在电子工业中广泛应用。

氮化铝的化学式：

氮化铝的化学式为AlN，化学组成 AI 65.81%，N 34.19%。其粉体为白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。

氮化铝陶瓷导热性：

氮化铝聚晶体物料导热率为 70~210 W / (m.k)，而单晶体更可高达 275 W / (m.k) 以上，是氧化铝的5倍。

氮化铝陶瓷基板：

热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

氮化铝的性质：

热导率高(＞170W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；
热膨胀系数与Si和GaAs匹配；
各种电性能(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)优良；
机械性能好，抗折强度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常压烧结；
可采用流延工艺制作。是一种很有前途的高功率集成电路基片和包装材料。

散热器和散热片
激光电绝缘体
半导体加工设备的卡盘，夹紧环
电绝缘体
硅片处理
微电子设备和光电设备的基板和绝缘体

电子封装基板

氮化铝的用途：

传感器和检测器的芯片载体
小芯片
筒夹
激光热管理组件
熔融金属夹具
微波设备包装

氮化铝产品展示：

氮化铝生产厂家

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氮化铝陶瓷的使用温度及环境要求

       氮化铝陶瓷在700°C的空气中会发生表面氧化，即使在室温下，也检测到5-10nm的表面氧化层。这将有助于保护材料本体，但它也将降低材料表面的导热率。在惰性气氛中，该氧化层可在高达1350°C 的温度下保护材料本体，当在高于此温度时本体将会发生大量氧化。氮化铝陶瓷在高达 980°C 的氢气和二氧化碳气氛中是稳定的。
       氮化铝陶瓷会与无机酸和强碱、水等液体发生化学反应并缓慢溶解，所有它不能直接浸泡在这类物质中使用。但氮化铝可以抵抗大多数熔盐的侵蚀，包括氯化物和冰晶石。

氮化铝陶瓷的机械性能：

氮化铝陶瓷的热学特性：

氮化铝陶瓷的电气特性：

备注：上述所有表单内参数为氮化铝陶瓷典型的参数值，因批次不同或有差别，敬请知悉。如有问题，敬请联系我们！

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